田口　哲
  タグチ　サトシ   TAGUCHI Satoshi
   所　　属   札幌校
   職　　名   学長
言語種別 日本語
発行・発表の年月 1999
形態種別 学術雑誌
標題 単結晶電極表面上の異種金属単原子層形成機構に関する研究.
執筆形態 単著
掲載誌名 （財）北海道科学・産業技術振興財団　研究開発支援事業（一般研究奨励事業）　研究報告書
巻・号・頁 -頁
著者・共著者 田口　哲
概要 本研究は、表面構造が規制されたAu（111）単結晶電極表面へのUPD（Underpotential deposition）法による亜鉛およびカドミウム単原子層以下電析に対して，種々のアニオン種の吸脱着挙動が与える影響を明らかにした。具体的には，サイクリックボルタンメトリー（電位走査法：Cyclic Voltammetry;CV）により電流電位曲線の測定をおこなった。各種アニオンを含む溶液中で測定したUPD電流電位曲線を比較することで，Zn およびCd UPDに対するアニオンの共吸着による影響について検討した。